假一赔佰半桥驱动芯片 栅极功率管驱动IC可提供技术支持 电机驱动3223ESA 200V半桥驱动

3223是一款半桥驱动芯片，用来驱动高压、高速功率MOSFET和IGBT。3223含有高压侧和低压侧两个输出通道。高压侧输出与逻辑输入HIN同相，低压侧输出与逻辑输入LIN反相，其逻辑输入电平可低至3.3V。浮动高压侧能驱动高达200V的N沟道功率MOSFET或者IGBT。

特点:

-200V半桥驱动

-高压侧采用自举工作模式

-10－20V的栅极驱动电压范围

-欠压锁定

-兼容3.3V、5V和15V逻辑输入

-交叉导通保护逻辑结构

-内置死区时间

-两个通道的信号传输延时相匹配

-SOP－8封装、无铅封装

极限工作范围

如果强度超过下面的极限工作状态很可能会损坏器件。超过这些状态器件可能不运行，而在推荐的工作条件下器件是能正常运行的，这些极限工作条件下是不推荐使用的。下表中的所有极限电压参数全部是对地的电压，所有的电流是从管脚流进去的电流。另外，超出推荐工作状态可能会影响器件的可靠性。

高压侧浮动电源电压:-0.3-225V

高压侧浮动偏置电压:VB-25-VB+0.3V

高压侧浮动输出电压:VS-0.3-VB+0.3V

低压侧输出电压:-0.3-VCC+0.3V

低压侧电源电压:-0.3-25V

逻辑输入电压（HIN&LIN):-0.3-Vcc+0.3V

偏置电压的压摆率:50V/ns

在 TA ￡+25°C，PD=(TJMAX-TA)RthJA时的封装功耗，SOIC-8:0.625W

芯片到环境的热阻，SOIC-8:200°C/W

工作温度:-25-125°C

储藏温度:-55-150°C

管脚温度 (soldering,10 seconds):300°C

为了保证器件正常工作，芯片必须工作在以下工作条件。

高压侧浮动电源电压:VS+ 10-VS+20V

稳定状态高压侧浮动电源偏置电压:-0.3-200V

高压侧浮动输出电压:VS-VB

低压侧工作电源:10-20V

低压侧输入电压:0-VCC

逻辑输入电压（HIN&LIN）:0-VCC

结温:-40-125°C